Форма документа : Шифр видання : Автор(и) : Уэрбер Д., Ханґep Т., Уиссен Т. Назва : Trench-IGBT-модули с обратной проводимостью Місце публікування : CHIP NEWS Украина. Инженерная микроэлектроника. - Киев: ООО Булавиа-Посад, 2017. - № 4. - С. 42-46 (Шифр C770899327/2017/4) Ключові слова (''Вільн.індекс.''): конструкція кристалів--антипаралельні діоди--високовольтні igbt-модулі Дод.точки доступу: Уэрбер, Д. Ханґep, Т. Уиссен, Т.