Пошуковий запит: (<.>K=транзистор<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 11
Показані документи с 1 за 11 |
1.
| CHIP NEWS Украина. Инженерная микроэлектроника - 2017г.,N 3 (Введено оглавление)
|
2.
| CHIP NEWS Украина. Инженерная микроэлектроника - 2017г.,N 7 (Введено оглавление)
|
3.
| CHIP NEWS Украина. Инженерная микроэлектроника - 2017г.,N 8 (Введено оглавление)
|
4.
| CHIP NEWS Украина. Инженерная микроэлектроника - 2017г.,N 10 (Введено оглавление)
|
5.
| Гайказьян Т. Изолированные DC/DC-преобразователи для питания IGBT и полевых транзисторов на SiC/Т. Гайказьян // CHIP NEWS Украина. Инженерная микроэлектроника. -Киев:ООО Булавиа-Посад, 2017,N № 3.-С.38-41
|
6.
| Дирн Э. Разработка и оценка GaN-усилителя L-диапазона для уровня выходной мощности 125 Вт/Э. Дирн, Р. Смит, перевод Кона Георгия // CHIP NEWS Украина. Инженерная микроэлектроника. -Киев:ООО Булавиа-Посад, 2017,N № 7.-С.57-60
|
7.
| Подгорбунский А. Опыт применения GaN-транзисторов L-диапазона от Microsemi/А. Подгорбунский, С. Мишуров // CHIP NEWS Украина. Инженерная микроэлектроника. -Киев:ООО Булавиа-Посад, 2017,N № 8.-С.22-26
|
8.
| Потемкин Е. GaN-транзисторы MACOM для беспроводных базовых станций/Е. Потемкин // CHIP NEWS Украина. Инженерная микроэлектроника. -Киев:ООО Булавиа-Посад, 2017,N № 8.-С.28-30
|
9.
| Винтрих А. Нормирование теплового сопротивления IGBT: базовые принципы и некоторые особенности/А. Винтрих, П. Бекедаль // CHIP NEWS Украина. Инженерная микроэлектроника. -Киев:ООО Булавиа-Посад, 2017,N № 8.-С.54-62
|
10.
| ДеФалько Дж. Новая серия IGBT от Infineon Technologies для резонансных инверторов/Дж. ДеФалько, В. Рентюк // CHIP NEWS Украина. Инженерная микроэлектроника. -Киев:ООО Булавиа-Посад, 2017,N № 10.-С.30-32
|
11.
| Балакриев А. СВЧ-компоненты Wolfspeed на основе GaN/SiC/А. Балакриев, А. Туркин // CHIP NEWS Украина. Инженерная микроэлектроника. -Киев:ООО Булавиа-Посад, 2017,N № 10.-С.60-63
|
|
|
Електронний каталог бібліотеки
Стандартний
Головна
Посібник користувача